IGBT工作原理简介
2024-10-14
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高性能功率半导体器件,它结合了MOSFET的驱动特性和BJT的低导通电阻,具有高速开关、低导通电阻、低饱和电压等优点,广泛应用于电力电子、电力传输、电机驱动等领域。本文将简要介绍IGBT的工作原理。 1. IGBT的结构 IGBT的结构类似于MOSFET,由N型沟道、P型基区和N型漏极组成,但是IGBT的漏极是PN结而非MOSFET的金属漏极。IGBT还有一个控制极,通常是由MOSFET的栅极承担,用于控制基区