FRAM:非易失性存储器的理想选择
行业前瞻 / 2024-02-29
FRAM(Ferroelectric Random Access Memory)是一种非易失性存储器,具有许多优势,使其成为理想的选择。它不仅具有传统存储器的快速读写速度和高数据可靠性,还具有低功耗和高密度等特点。在当前信息技术迅速发展的时代,FRAM的出现为各种电子设备提供了更高效、更可靠的存储解决方案。 1. 高速读写 FRAM具有非常快速的读写速度,远远超过了传统存储器技术。相较于闪存和EEPROM等存储器,FRAM的读写速度可以达到纳秒级别,大大提升了数据的传输效率。这使得FRAM在需